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IPD70R600P7SAUMA1

IPD70R600P7SAUMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 700 V, 0.49 ohm, 10 V, 3 V

表面贴装型 N 通道 8.5A(Tc) 43W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3


欧时:
Infineon MOSFET IPD70R600P7SAUMA1


立创商城:
N沟道 700V 8.5A


贸泽:
MOSFET


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


IPD70R600P7SAUMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.49 Ω

耗散功率 43.1 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 700 V

上升时间 5.5 ns

输入电容Ciss 364pF @400VVds

下降时间 23 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 43W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Aux power

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IPD70R600P7SAUMA1引脚图与封装图
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