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IPD70R1K4P7SAUMA1

IPD70R1K4P7SAUMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 700 V, 1.15 ohm, 10 V, 3 V

表面贴装型 N 通道 4A(Tc) 23W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3


欧时:
Infineon MOSFET IPD70R1K4P7SAUMA1


立创商城:
N沟道 700V 4A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


安富利:
650V and 700V CoolMOS N-Channel Power MOSFET


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


IPD70R1K4P7SAUMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.15 Ω

耗散功率 22.7 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 700 V

上升时间 4.9 ns

输入电容Ciss 158pF @400VVds

下降时间 61 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 23W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Aux power

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IPD70R1K4P7SAUMA1引脚图与封装图
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IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 700 V, 1.15 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存