IMC1210ERR82K
数据手册.pdf
Vishay Dale
威世达勒
被动器件
IMC1210ERR82K中文资料参数规格
技术参数
额定电流 450 mA
容差 ±10 %
电感 820 nH
自谐频率 140 MHz
Q值 30.0
测试频率 25.2 MHz
电阻DC） ≤670 mΩ
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 3225
封装 1210
外形尺寸
长度 3.2 mm
宽度 2.49 mm
高度 2.21 mm
封装公制 3225
封装 1210
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IMC1210ERR82K引脚图与封装图
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在线购买IMC1210ERR82K
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IMC1210ERR82K | Vishay Dale 威世达勒 | Ind Chip Molded Wirewound 820nH 10% 25.2MHz 30Q-Factor Powdered Iron 450mA 1210 T/R | 搜索库存 |
替代型号IMC1210ERR82K
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IMC1210ERR82K 品牌： Vishay Dale 威世达勒 封装： 1210 820nH 140MHz 450mA | 当前型号 | Ind Chip Molded Wirewound 820nH 10% 25.2MHz 30Q-Factor Powdered Iron 450mA 1210 T/R | 当前型号 |
| 型号： ELJ-FAR82KF2 品牌： 松下 封装： 1210 820nH 125MHz 245mA | 功能相似 | Fixed Inductors 1210 0.82uH 10% 245mA 610mohm Wirewound | IMC1210ERR82K和ELJ-FAR82KF2的区别 |
| 型号： ELJ-NAR82KF 品牌： 松下 封装： 1210 820nH 135MHz | 功能相似 | Inductor High Frequency Chip Wirewound 820nH 10% 1MHz 10Q-Factor Ferrite 145mA 1.9Ω DCR 1210 T/R | IMC1210ERR82K和ELJ-NAR82KF的区别 |