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IPU50R2K0CEAKMA1

IPU50R2K0CEAKMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

N-CH 500V 3.6A

通孔 N 通道 500 V 2.4A(Tc) 33W(Tc) PG-TO251-3


得捷:
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A Tube


IPU50R2K0CEAKMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 33W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 3.6A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 124pF @100VVds

下降时间 38 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 33W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IPU50R2K0CEAKMA1引脚图与封装图
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