极性 N-Channel
耗散功率 167 W
引脚数 7
封装 TO-263
封装 TO-263
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPB034N06N3G | Infineon 英飞凌 | OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPB034N06N3G 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-263 N-Channel | 当前型号 | OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor | 当前型号 | |
型号: IPB034N06L3GATMA1 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 60V 90A | 类似代替 | INFINEON IPB034N06L3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1.7 V | IPB034N06N3G和IPB034N06L3GATMA1的区别 | |
型号: IPD034N06N3G 品牌: 英飞凌 封装: TO-252-2DPAK N-Channel | 类似代替 | Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 | IPB034N06N3G和IPD034N06N3G的区别 | |
型号: IPB037N06N3G 品牌: 英飞凌 封装: TO-263-3 | 类似代替 | 60V,90A,N沟道功率MOSFET | IPB034N06N3G和IPB037N06N3G的区别 |