IPT65R105G7XTMA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.091 ohm, 10 V, 3.5 V

表面贴装型 N 通道 650 V 24A（Tc） 156W（Tc） PG-HSOF-8-2

得捷:
MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF

立创商城:
N沟道 650V 24A

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.091 ohm, 10 V, 3.5 V

艾睿:
IPT65R105G7XTMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 650V 24A 9-Pin8+Tab HSOF T/R - Arrow.com

Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 9-Pin8+Tab HSOF T/R

IPT65R105G7XTMA1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.091 Ω

极性 N-CH

耗散功率 156 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 24A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 1670pF @400VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 156000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 9

封装 PG-HSOF-8-2

外形尺寸

封装 PG-HSOF-8-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPT65R105G7XTMA1引脚图与封装图

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IPT65R105G7XTMA1	Infineon 英飞凌	晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.091 ohm, 10 V, 3.5 V	搜索库存