IXTA64N10L2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA64N10L2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 32 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 357 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 64A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 3620pF @25VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 357W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.41 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IXTA64N10L2引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IXTA64N10L2 | IXYS Semiconductor | N-CH 100V 64A | 搜索库存 |