IRFR9014N
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRFR9014N中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 2.5W Ta, 25W Tc
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 5.1A
输入电容Ciss 270pF @25VVds
耗散功率Max 2.5W Ta, 25W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFR9014N引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRFR9014N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFR9014N 品牌： Infineon 英飞凌 封装： DPAK P-CH 60V 5.1A | 当前型号 | DPAK P-CH 60V 5.1A | 当前型号 |
| 型号： IRFR9014PBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-252-3 | 类似代替 | MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK | IRFR9014N和IRFR9014PBF的区别 |
| 型号： IRFR9014TRLPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-252 | 类似代替 | MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK | IRFR9014N和IRFR9014TRLPBF的区别 |
| 型号： IRFR9014NTRR 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 类似代替 | Mosfet p-Ch 60V 5.1A Dpak | IRFR9014N和IRFR9014NTRR的区别 |