IXFN66N85X
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 830W Tc
漏源极电压Vds 850 V
连续漏极电流Ids 65A
上升时间 48 ns
输入电容Ciss 8900pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 830W Tc
引脚数 4
封装 SOT-227-4
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFN66N85X | IXYS Semiconductor | SOT-227B N-CH 850V 65A | 搜索库存 |