IXFH50N85X

IXYS Semiconductor 分立器件

N沟道 850V 50A

N-Channel 850V 50A Tc 890W Tc Through Hole TO-247

得捷:
MOSFET N-CH 850V 50A TO247

立创商城:
N沟道 850V 50A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 850V 50A 3-Pin3+Tab TO-247

Verical:
Trans MOSFET N-CH 850V 50A 3-Pin3+Tab TO-247AD

IXFH50N85X中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 890 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 850 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 4480pF @25VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 890W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IXFH50N85X引脚图与封装图

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