IDT7201LA35P
数据手册.pdf
Integrated Device Technology
艾迪悌
主动器件
IDT7201LA35P中文资料参数规格
技术参数
存取时间 35 ns
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DIP
外形尺寸
封装 DIP
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
IDT7201LA35P引脚图与封装图
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在线购买IDT7201LA35P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IDT7201LA35P | Integrated Device Technology 艾迪悌 | CMOS异步FIFO 256 ×9 ， 512× 9 ， 1K ×9 CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9 | 搜索库存 |
替代型号IDT7201LA35P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IDT7201LA35P 品牌： Integrated Device Technology 艾迪悌 封装： DIP | 当前型号 | CMOS异步FIFO 256 ×9 ， 512× 9 ， 1K ×9 CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9 | 当前型号 |
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