IPI072N10N3 G
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
IPI072N10N3 G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 7.2 mΩ
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 37 ns
输入电容Ciss 3690pF @50VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Uninterruptable power supplies UPS, Synchronous rectification for AC-DC SMPS
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPI072N10N3 G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPI072N10N3 G | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3Pin TO-262 Tube | 搜索库存 |