IXBF55N300
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
电子元器件分类
IXBF55N300中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 357 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 ISOPLUS i4-PAK-3
外形尺寸
封装 ISOPLUS i4-PAK-3
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXBF55N300引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXBF55N300
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXBF55N300 | IXYS Semiconductor | IGBT Transistors High Voltage High Gain BIMOSFET | 搜索库存 |
替代型号IXBF55N300
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXBF55N300 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 当前型号 | IGBT Transistors High Voltage High Gain BIMOSFET | 当前型号 |
| 型号： IXGX320N60B3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 1700000mW | 功能相似 | IGBT PT 600V 500A 1700W 通孔 PLUS247™-3 | IXBF55N300和IXGX320N60B3的区别 |
| 型号： IXGK320N60B3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 | 功能相似 | IGBT 模块 GenX3 600V IGBTs | IXBF55N300和IXGK320N60B3的区别 |
