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IRF8910
Infineon 英飞凌 分立器件

SOIC N-CH 20V 10A

Benefits:

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RoHS Compliant
.
Low RDSon
.
Low RDSON at 4.5V VGS
.
Ultra-Low Gate Impedance
.
Dual N-Channel MOSFET

安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC


IRF8910中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 10.0 A

极性 N-CH

产品系列 IRF8910

漏源极电压Vds 20.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 10 ns

热阻 62.5 K/W

下降时间 4.1 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF8910引脚图与封装图
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IRF8910 Infineon 英飞凌 SOIC N-CH 20V 10A 搜索库存
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型号: IRF8910

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOIC N-CH 20V 10A

当前型号

SOIC N-CH 20V 10A

当前型号

型号: IRF8910PBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL Dual N-Channel 20V 10A

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