IRFN140
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
IRFN140中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 28A
上升时间 105 ns
下降时间 65 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-1
外形尺寸
封装 SMD-1
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
IRFN140引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRFN140
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFN140 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SMD-1 N-CH 100V 28A | 当前型号 | SMD-1 N-CH 100V 28A | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N7224U 品牌： 英飞凌 封装： | 完全替代 | Power Field-Effect Transistor, 34A ID, 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN | IRFN140和JANTXV2N7224U的区别 |
| 型号： IRFM140 品牌： 英飞凌 封装： | 类似代替 | 100 V N沟道 MOS TO-254AA | IRFN140和IRFM140的区别 |
| 型号： 2N7224 品牌： 美高森美 封装： TO-254-3 | 功能相似 | N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFET | IRFN140和2N7224的区别 |
