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IPD85P04P4L-06

IPD85P04P4L-06

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

的OptiMOS -P2功率三极管 OptiMOS-P2 Power-Transistor

Summary of Features:

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P-channel - Logic Level - Enhancement mode
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AEC qualified
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MSL1 up to 260°C peak reflow
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175°C operating temperature
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Green package RoHS compliant
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100% Avalanche tested

Benefits:

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No charge pump required for high side drive.
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Simple interface drive circuit
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World"s lowest RDSon at 40V
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Highest current capability
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Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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Robust packages with superior quality and reliability
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Standard packages TO-252, TO-263, TO-220, TO-262
IPD85P04P4L-06中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 6.4 mΩ

极性 P-CH

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 85A

上升时间 10 ns

下降时间 39 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Bridge configuration could be realized with 40V P-Channel as high side device with no need of charge pump, High-Side MOSFETs for motor bridges half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPD85P04P4L-06引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPD85P04P4L-06 Infineon 英飞凌 的OptiMOS -P2功率三极管 OptiMOS-P2 Power-Transistor 搜索库存
替代型号IPD85P04P4L-06
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD85P04P4L-06

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252-3 P-CH 40V 85A

当前型号

的OptiMOS -P2功率三极管 OptiMOS-P2 Power-Transistor

当前型号

型号: IPB80P04P4L-06

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 P-CH 40V 80A

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IPD85P04P4L-06和IPB80P04P4L-06的区别