极性 N-CH
耗散功率 45W Tc
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 17A
输入电容Ciss 370pF @25VVds
耗散功率Max 45W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFR024NTRRPBF | Infineon 英飞凌 | DPAK N-CH 55V 17A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFR024NTRRPBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: DPAK N-CH 55V 17A | 当前型号 | DPAK N-CH 55V 17A | 当前型号 | |
型号: IRFR024NTRR 品牌: 英飞凌 封装: DPAK N-CH 55V 17A | 完全替代 | DPAK N-CH 55V 17A | IRFR024NTRRPBF和IRFR024NTRR的区别 | |
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型号: IRFR1205TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-CH 55V 44A | 类似代替 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | IRFR024NTRRPBF和IRFR1205TRPBF的区别 |