IPD135N08N3GATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD135N08N3GATMA1中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0114 Ω
极性 N-CH
耗散功率 79 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80 V
连续漏极电流Ids 45A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 1730pF @40VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 79W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IPD135N08N3GATMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPD135N08N3GATMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD135N08N3GATMA1 | Infineon 英飞凌 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 80 V, 0.0114 ohm, 10 V, 2.8 V | 搜索库存 |