IPP80R450P7XKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPP80R450P7XKSA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.38 Ω
耗散功率 73 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 800 V
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 770pF @500VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 73W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IPP80R450P7XKSA1引脚图与封装图
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在线购买IPP80R450P7XKSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPP80R450P7XKSA1 | Infineon 英飞凌 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.38 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号IPP80R450P7XKSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPP80R450P7XKSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： PG-TO220-3 | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.38 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： SPP11N80C3XKSA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 800V 11A | 类似代替 | INFINEON SPP11N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V | IPP80R450P7XKSA1和SPP11N80C3XKSA1的区别 |