IPB65R190C6
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPB65R190C6中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 190 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 151 W
漏源极电压Vds 700 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 20.2A
上升时间 12 nS
下降时间 10 nS
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IPB65R190C6引脚图与封装图
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