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IHY20N120R3

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
IHY20N120R3中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 310 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IHY20N120R3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IHY20N120R3 Infineon 英飞凌 逆导IGBT与单片体二极管 Reverse conducting IGBT with monolithic body diode 搜索库存
替代型号IHY20N120R3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IHY20N120R3

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-247HC

当前型号

逆导IGBT与单片体二极管 Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

当前型号

型号: IHW20N120R3

品牌: 英飞凌

封装: TO247-3

完全替代

INFINEON  IHW20N120R3  单晶体管, IGBT, 20 A, 1.7 V, 310 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

IHY20N120R3和IHW20N120R3的区别

型号: IHW20N120R2

品牌: 英飞凌

封装: TO-247-3

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品牌: 英飞凌

封装: TO-247

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