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IPD15N06S2L-64

IPD15N06S2L-64

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

Summary of Features:

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• N-channel - Enhancement mode
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• Automotive AEC Q101 qualified
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• MSL1 up to 260°C peak reflow
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• 175°C operating temperature
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• Green package lead free
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• Ultra low Rdson
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• 100% Avalanche tested

Benefits:

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world"s lowest RDS at 55V on  in planar technology
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highest current capability
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lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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robust packages with superior quality and reliability
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Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPD15N06S2L-64中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 64 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 47 W

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 19A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 354pF @25VVds

额定功率Max 47 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Solenoids control, Valves control, Lighting, Single-ended motors

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPD15N06S2L-64引脚图与封装图
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在线购买IPD15N06S2L-64
型号 制造商 描述 购买
IPD15N06S2L-64 Infineon 英飞凌 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor 搜索库存
替代型号IPD15N06S2L-64
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD15N06S2L-64

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 55V 19A

当前型号

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

当前型号

型号: SPD15N06S2L-64

品牌: 英飞凌

封装: TO-252 N-CH 55V 19A 445pF

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