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IRL60SL216

IRL60SL216

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET,

是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展,针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性,如低 RDS(接通)用于提供更大效率,及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。

最佳 RDS(接通)@ VGS = +4.5V

适用于电池供电系统

应用范围:电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器


得捷:
MOSFET N-CH 60V 195A TO262-3


立创商城:
IRL60SL216


欧时:
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL60SL216, 298 A, Vds=60 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 298A Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 298A 3-Pin TO-262 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 298A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


IRL60SL216中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 375 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 298A

上升时间 180 ns

输入电容Ciss 15330pF @25VVds

下降时间 120 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 11.3 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRL60SL216引脚图与封装图
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