IPS50R520CPAKMA1

Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.1A; 66W; IPAK; CoolMOS™

通孔 N 通道 500 V 7.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO251-3

得捷:
MOSFET N-CH 500V 7.1A TO251-3

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.1A; 66W; IPAK

IPS50R520CPAKMA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 66 W

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 680pF @100VVds

耗散功率Max 66W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPS50R520CPAKMA1引脚图与封装图

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IPS50R520CPAKMA1	Infineon 英飞凌	Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.1A; 66W; IPAK; CoolMOS™	搜索库存