IPA50R190CEXKSA2

Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 24.8 A, 500 V, 0.17 ohm, 13 V, 3 V

通孔 N 通道 18.5A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包

得捷:
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220

欧时:
Infineon MOSFET IPA50R190CE

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 24.8 A, 500 V, 0.17 ohm, 13 V, 3 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 32W; TO220FP

Win Source:
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP

IPA50R190CEXKSA2中文资料参数规格

技术参数

额定功率 32 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.17 Ω

极性 N-CH

耗散功率 32 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 18.5A

上升时间 8.5 ns

输入电容Ciss 1137pF @100VVds

额定功率Max 32 W

下降时间 7.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 32W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IPA50R190CEXKSA2引脚图与封装图

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IPA50R190CEXKSA2	Infineon 英飞凌	晶体管, MOSFET, N沟道, 24.8 A, 500 V, 0.17 ohm, 13 V, 3 V	搜索库存