IDD12SG60C
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Infineon
英飞凌
分立器件
IDD12SG60C中文资料参数规格
技术参数
额定功率 125 W
负载电流 12 A
反向恢复时间 0 ns
最大正向浪涌电流（Ifsm） 59 A
正向电压Max 2.1V @12A
正向电流Max 12 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.26 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IDD12SG60C引脚图与封装图
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在线购买IDD12SG60C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IDD12SG60C | Infineon 英飞凌 | 第三代的thinQ ！ TM SiC肖特基二极管 3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode | 搜索库存 |
替代型号IDD12SG60C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IDD12SG60C 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252 | 当前型号 | 第三代的thinQ ！ TM SiC肖特基二极管 3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode | 当前型号 |
| 型号： IDD12SG60CXTMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL | 完全替代 | IDD12SG60C 系列 600V 12A 第3代 thinQ!™ SiC 肖特基 二极管-PG-TO-252-3 | IDD12SG60C和IDD12SG60CXTMA1的区别 |