IPB16CN10NG
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
IPB16CN10NG中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 100 W
封装参数
引脚数 3
封装 D2PAK
外形尺寸
封装 D2PAK
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
IPB16CN10NG引脚图与封装图
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在线购买IPB16CN10NG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB16CN10NG | Infineon 英飞凌 | OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPB16CN10NG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB16CN10NG 品牌： Infineon 英飞凌 封装： D2PAK N-Channel | 当前型号 | OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： FDB150N10 品牌： 飞兆/仙童 封装： D2PAK N-CH 100V 57A | 功能相似 | N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 100V ， 57A ， 15米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 100V, 57A, 15mヘ | IPB16CN10NG和FDB150N10的区别 |
