IPI100N08S2-07
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPI100N08S2-07中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 51 ns
输入电容Ciss 4700pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 9.25 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Single-ended motors, Lighting, Valves control, Solenoids control
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPI100N08S2-07引脚图与封装图
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在线购买IPI100N08S2-07
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPI100N08S2-07 | Infineon 英飞凌 | Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 搜索库存 |
替代型号IPI100N08S2-07
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPI100N08S2-07 品牌： Infineon 英飞凌 封装： I2PAK-3 N-CH 75V 100A | 当前型号 | Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 当前型号 |
| 型号： IPP100N08S2L-07 品牌： 英飞凌 封装： TO-220-3 N-CH 75V 100A | 功能相似 | OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor | IPI100N08S2-07和IPP100N08S2L-07的区别 |
| 型号： SPP100N08S2-07 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-CH 75V 100A 6.02nF | 功能相似 | 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor | IPI100N08S2-07和SPP100N08S2-07的区别 |