IPD13N03LA
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
电子元器件分类
IPD13N03LA中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 30A
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DPAK-2
外形尺寸
封装 DPAK-2
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPD13N03LA引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPD13N03LA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD13N03LA | Infineon 英飞凌 | OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPD13N03LA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD13N03LA 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： IPD14N03L 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | IPD14N03L N沟道MOSFET 30V 30A TO-252/D-PAK marking/标记 14N03L 低导通电阻/最大DC电流能力/IPD03N03LAP | IPD13N03LA和IPD14N03L的区别 |