IPB100N08S2-07
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPB100N08S2-07中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 51 ns
输入电容Ciss 4700pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 30 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Solenoids control, Valves control, Lighting, Single-ended motors
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPB100N08S2-07引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB100N08S2-07 | Infineon 英飞凌 | OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPB100N08S2-07
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB100N08S2-07 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263 N-CH 75V 100A | 当前型号 | OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor | 当前型号 |
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