锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPP110N06LG

Infineon 英飞凌 分立器件
IPP110N06LG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 78.0 A

输入电容 2.70 nF

栅电荷 79.0 nC

漏源极电压Vds 60.0 V

连续漏极电流Ids 78.0 A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPP110N06LG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPP110N06LG
型号 制造商 描述 购买
IPP110N06LG Infineon 英飞凌 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor 搜索库存
替代型号IPP110N06LG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPP110N06LG

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220 60V 78A 2.7nF

当前型号

OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor

当前型号

型号: IPP120N06NG

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 60V 75A 2.1nF

类似代替

OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor

IPP110N06LG和IPP120N06NG的区别

型号: SPP80N06S2L-07

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 N-Channel 55V 80A 4.21nF

功能相似

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

IPP110N06LG和SPP80N06S2L-07的区别

型号: IPP80N06S2L-09

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 N-CH 55V 80A

功能相似

Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列 OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rdson MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

IPP110N06LG和IPP80N06S2L-09的区别