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IPU04N03LAG

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Infineon 英飞凌 分立器件

OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

Package Marking

• Qualified according to JEDEC1 for target applications

• N-channel, logic level

• Excellent gate charge x R DSon product FOM

• Superior thermal resistance

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant


IPU04N03LAG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 50.0 A

输入电容 5.20 nF

栅电荷 41.0 nC

漏源极电压Vds 25.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251

外形尺寸

封装 TO-251

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPU04N03LAG引脚图与封装图
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替代型号IPU04N03LAG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPU04N03LAG

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-251AA 25V 50A 5.2nF

当前型号

OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

当前型号

型号: IPU04N03LA

品牌: 英飞凌

封装: TO-251 N-CH 25V 50A 5.2nF

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