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IPF04N03LAG

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

Package Marking

• Qualified according to JEDEC1 for target applications

• N-channel, logic level

• Excellent gate charge x R DSon product FOM

• Superior thermal resistance

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant


IPF04N03LAG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 50.0 A

输入电容 5.20 nF

栅电荷 41.0 nC

漏源极电压Vds 25.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPF04N03LAG引脚图与封装图
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