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IDM10G120C5XTMA1

IDM10G120C5XTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

IDM10G120C5 系列 1200 V 38 A 第5代 thinQ!™SiC 肖特基 二极管-TO-252-3

碳化硅肖特基 1200 V 38A(DC) 表面贴装型 PG-TO252-2


得捷:
DIODE SIL CARB 1.2KV 38A TO252-2


欧时:
Infineon IDM10G120C5XTMA1


立创商城:
1.2kV 38A 1.8V@10A


e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 1200V Series, 单, 1.2 kV, 38 A, 41 nC, TO-252


艾睿:
Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
SIC CHIP/DISCRETE


TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 223W; PG-TO252-2


Verical:
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 38A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IDM10G120C5XTMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 223 W

负载电流 10 A

正向电压 1.5 V

正向电流 38000 mA

正向电流Max 38000 mA

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

耗散功率Max 223000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IDM10G120C5XTMA1引脚图与封装图
IDM10G120C5XTMA1引脚图

IDM10G120C5XTMA1引脚图

IDM10G120C5XTMA1封装图

IDM10G120C5XTMA1封装图

IDM10G120C5XTMA1封装焊盘图

IDM10G120C5XTMA1封装焊盘图

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型号 制造商 描述 购买
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