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IRF60B217
Infineon(英飞凌) 分立器件

IRF60B217 系列 60 V 60 A 9 mOhm 法兰安装 IR Mosfet - TO-220AB

StrongIRFET™ 功率 MOSFET,

Infineon 的
.
*StrongIRFE** 系列经过优化,RDS(接通)低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性,特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用,包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。

得捷:
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB


欧时:
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF60B217, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装


贸泽:
MOSFET 60V, 60A, 9.0 mOhm 44 nC Qg


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 60 A, 0.0073 ohm, TO-220AB, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin3+Tab TO-220AB Full-Pak Tube


安富利:
Transistor MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin3+Tab TO-220AB Full-Pak Tube


IRF60B217中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 7.3 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 83 W

阈值电压 2.1 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 60A

上升时间 37 ns

输入电容Ciss 2230pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 16.51 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRF60B217引脚图与封装图
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在线购买IRF60B217
型号 制造商 描述 购买
IRF60B217 Infineon 英飞凌 IRF60B217 系列 60 V 60 A 9 mOhm 法兰安装 IR Mosfet - TO-220AB 搜索库存
替代型号IRF60B217
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF60B217

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-CH 60V 60A

当前型号

IRF60B217 系列 60 V 60 A 9 mOhm 法兰安装 IR Mosfet - TO-220AB

当前型号

型号: IRF60R217

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-CH 60V 58A

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IRF60B217和IRF60R217的区别