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IPD180N10N3GATMA1

IPD180N10N3GATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPD180N10N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 100 V, 0.0147 ohm, 10 V, 2.7 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


得捷:
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3


立创商城:
N沟道 100V 43A


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD180N10N3GATMA1, 43 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


e络盟:
INFINEON  IPD180N10N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 100 V, 0.0147 ohm, 10 V, 2.7 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 43A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IPD180N10N3GATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0147 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 71 W

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 1350pF @50VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 71000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Audio, Power Management, Motor Drive & Control, Automotive, Industrial

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPD180N10N3GATMA1引脚图与封装图
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