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IDM02G120C5XTMA1

IDM02G120C5XTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

IDM02G120C5 系列 1200 V 2 A 第5代 ThinQ!™SiC 肖特基 二极管-TO-252-3

碳化硅肖特基 1200 V 2A(DC) 表面贴装型 PG-TO252-2


得捷:
DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO252-2


欧时:
Infineon IDM02G120C5XTMA1


立创商城:
1.2kV 2A 1.65V@2A


e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, thinQ Series, 单, 1.2 kV, 14 A, 14 nC, TO-252


艾睿:
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 14A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Diode Schottky Diode 1200V 14A 2-Pin TO-252 T/R


TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 98W; PG-TO252-2


Verical:
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 14A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IDM02G120C5XTMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 98 W

负载电流 2 A

正向电压 1.4 V

耗散功率 98 W

正向电流 14000 mA

正向电流Max 14 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 175℃

工作结温Max 175 ℃

耗散功率Max 98000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 TO-252-3

外形尺寸

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IDM02G120C5XTMA1引脚图与封装图
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