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IDL12G65C5

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类
IDL12G65C5中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 138 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

封装 PG-VSON-4

外形尺寸

封装 PG-VSON-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

IDL12G65C5引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IDL12G65C5 Infineon 英飞凌 650V的SiC的thinQ !一?? ¢ 5代二极管 650V SiC thinQ!™ Generation 5 diodes 搜索库存