IRFS59N10D
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
电子元器件分类
IRFS59N10D中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 59A
封装参数
封装 D2PAK-263
外形尺寸
封装 D2PAK-263
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRFS59N10D引脚图与封装图
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在线购买IRFS59N10D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFS59N10D | Infineon 英飞凌 | D2PAK N-CH 100V 59A | 搜索库存 |
替代型号IRFS59N10D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFS59N10D 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | D2PAK N-CH 100V 59A | 当前型号 |
| 型号： IRFS59N10DTRLP 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 100V 59A | 类似代替 | 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | IRFS59N10D和IRFS59N10DTRLP的区别 |
| 型号： IRFS59N10DPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 100V 59A | 功能相似 | INFINEON IRFS59N10DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V | IRFS59N10D和IRFS59N10DPBF的区别 |