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IPN70R1K5CE

IPN70R1K5CE

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

700V,1500mΩ,5.4A,N沟道功率MOSFET

Summary of Features:

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Drop-in replacement for DPAK at lower cost
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Space savings in designs with low power dissipation
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Comparable thermal behavior to DPAK

Target Applications:

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Lighting
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Adapter
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Consumer

立创商城:
N沟道 700V 5.4A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin2+Tab SOT-223 T/R


儒卓力:
**N-CH 750V 8,8A 1500mOhm SOT223 **


力源芯城:
700V,1500mΩ,5.4A,N沟道功率MOSFET


IPN70R1K5CE中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 700 V

连续漏极电流Ids 5.4A

上升时间 5.9 ns

输入电容Ciss 225pF @100VVds

下降时间 18.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 5000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPN70R1K5CE引脚图与封装图
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