IPB200N15N3G

Infineon 英飞凌分立器件

150V,50A,N沟道功率MOSFET

N-Channel 150 V 50A Tc 150W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2

得捷:
IPB200N15 - 12V-300V N-CHANNEL P

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IPB200N15N3G

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150V,50A,N沟道功率MOSFET

Win Source:
OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DSon product FOM

IPB200N15N3G中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 D2PAK

外形尺寸

封装 D2PAK

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPB200N15N3G引脚图与封装图

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