IPU80R2K8CE
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Infineon
英飞凌
电子元器件分类
IPU80R2K8CE中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 42 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 1.9A
上升时间 15 ns
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
海关信息
ECCN代码 EAR99
IPU80R2K8CE引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPU80R2K8CE | Infineon 英飞凌 | 800V,1.9A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |