IPD220N06L3G
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
IPD220N06L3G中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 60 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252
外形尺寸
封装 TO-252
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPD220N06L3G引脚图与封装图
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在线购买IPD220N06L3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD220N06L3G | Infineon 英飞凌 | 60V,30A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号IPD220N06L3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD220N06L3G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252 | 当前型号 | 60V,30A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： IPD230N06LG 品牌： 英飞凌 封装： TO-252 60V 30A 1.5nF | 功能相似 | OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor | IPD220N06L3G和IPD230N06LG的区别 |