IXYH30N170C
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXYH30N170C中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1700 V
额定功率Max 937 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXYH30N170C引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IXYH30N170C | IXYS Semiconductor | IGBT 晶体管 1700V/108A High Voltage XPT IGBT | 搜索库存 |