IDH12G65C5
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
IDH12G65C5中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.7 V
正向电流 12000 mA
正向电流Max 12000 mA
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-220-2
外形尺寸
封装 TO-220-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IDH12G65C5引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IDH12G65C5
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IDH12G65C5 | Infineon 英飞凌 | 650V的SiC的thinQ ！一?? ¢ 5代二极管 650V SiC thinQ!⢠Generation 5 diodes | 搜索库存 |