IPD640N06LG
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPD640N06LG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 18.0 A
极性 N-Channel
输入电容 470 pF
栅电荷 13.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
输入电容Ciss 470pF @30VVds
额定功率Max 47 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
封装 TO-252
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IPD640N06LG引脚图与封装图
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在线购买IPD640N06LG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD640N06LG | Infineon 英飞凌 | 60V,18A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号IPD640N06LG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD640N06LG 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252 N-Channel 60V 18A 470pF | 当前型号 | 60V,18A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： IRFB3806PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 60V 43A | 功能相似 | INFINEON IRFB3806PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 60 V, 0.0126 ohm, 20 V, 4 V | IPD640N06LG和IRFB3806PBF的区别 |