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IDH20G120C5XKSA1

IDH20G120C5XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

IDH20G120C5 系列 1200 V 56 A 第5代 ThinQ!™SiC 肖特基 二极管-TO-220-2

IDH20G120C5, SP001347054


欧时:
SiC Schottky Diode 1200V 20A TO-220-2


得捷:
DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO220-1


e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, thinQ Series, 单, 1.2 kV, 56 A, 82 nC, TO-220


艾睿:
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube


安富利:
Diode Schottky Diode 1200V 56A 2-Pin TO-220 Tube


TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; 330W; PG-TO220-2


Verical:
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 56A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube


Win Source:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 56A TO220-2 / Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 56A DC Through Hole PG-TO220-2-1


IDH20G120C5XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 330 W

负载电流 20 A

正向电压 1.5 V

耗散功率 330 W

正向电流 56 A

正向电流Max 56000 mA

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

耗散功率Max 330000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

封装 TO-220-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IDH20G120C5XKSA1引脚图与封装图
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