IPP320N20N3G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPP320N20N3G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 1770pF @100VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3-1
外形尺寸
封装 TO-220-3-1
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IPP320N20N3G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPP320N20N3G | Infineon 英飞凌 | 200V,34A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |