IPI90R800C3
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPI90R800C3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 104 W
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 6.9A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 1100pF @100VVds
额定功率Max 104 W
下降时间 32 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPI90R800C3引脚图与封装图
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在线购买IPI90R800C3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPI90R800C3 | Infineon 英飞凌 | Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 搜索库存 |
替代型号IPI90R800C3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPI90R800C3 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-262-3 N-CH 900V 6.9A | 当前型号 | Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 当前型号 |
| 型号： IPP90R800C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 900V 6.9A | 功能相似 | Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | IPI90R800C3和IPP90R800C3的区别 |
| 型号： IPW90R800C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-247-3 N-Channel 900V 6.9A | 功能相似 | 900V,800mΩ,6.9A,N沟道功率MOSFET | IPI90R800C3和IPW90R800C3的区别 |