IPP023N10N5
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 375 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 12000pF @50VVds
下降时间 29 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPP023N10N5 | Infineon 英飞凌 | Infineon OptiMOS™5 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 搜索库存 |